« Effet d'avalanche » : différence entre les versions

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[[Fichier:Caractéristique Diode Zener.PNG|vignette|droite|[[Caractéristique (électricité)|Caractéristique]] de la diode Zener : courbe de I(Ud). Au delà de la tension Uz, l’effet d’avalanche provoqué par une forte tension permet le passage du courant.]]
[[Fichier:Caractéristique Diode Zener.PNG|vignette|droite|L’effet d’avalanche est visible sur la partie gauche de la [[Caractéristique (électricité)|caractéristique]] de la diode Zener (courbe de I en fonction de Ud). En dessous de la tension Uz, l’effet d’avalanche provoqué par une forte tension négative permet le passage du courant à travers la diode.]]


L'effet d'avalanche peut se produire à l'intérieur de semi-conducteurs ou d'isolants solides, liquides ou en phase gazeuse lorsque le [[champ électrique]] à l'intérieur du matériau est suffisamment important pour accélérer les [[électron]]s jusqu'au point où, lorsqu'ils percutent des [[atome]]s, ils libèrent d'autres électrons : le nombre d'électrons libres augmente alors rapidement car les nouveaux électrons libres en entraînent à nouveau d'autres, dans un phénomène comparable à celui d'une [[avalanche]] neigeuse{{sfn|texte=|Jean-Paul Baïlon|Jean-Marie Dorlot|2000|p=428|loc=|id=jpbjmd2000}}. Ce phénomène est utilisé dans certains [[Composant électronique|composants électroniques]] comme la [[diode Zener]], la [[diode Transil]], des [[photodiode]]s et des [[transistor]]s à effet d'avalanche, ainsi que dans un grand nombre de détecteur de muons comme les [[tube à gaz|tubes à gaz]], les RPC (Resistive Plate Chamber).
L'effet d'avalanche peut se produire à l'intérieur de semi-conducteurs ou d'isolants solides, liquides ou en phase gazeuse lorsque le [[champ électrique]] à l'intérieur du matériau est suffisamment important pour accélérer les [[électron]]s jusqu'au point où, lorsqu'ils percutent des [[atome]]s, ils libèrent d'autres électrons : le nombre d'électrons libres augmente alors rapidement car les nouveaux électrons libres en entraînent à nouveau d'autres, dans un phénomène comparable à celui d'une [[avalanche]] neigeuse{{sfn|texte=|Jean-Paul Baïlon|Jean-Marie Dorlot|2000|p=428|loc=|id=jpbjmd2000}}. Ce phénomène est utilisé dans certains [[Composant électronique|composants électroniques]] comme la [[diode Zener]], la [[diode Transil]], des [[photodiode]]s et des [[transistor]]s à effet d'avalanche, ainsi que dans un grand nombre de détecteur de muons comme les [[tube à gaz|tubes à gaz]], les RPC (Resistive Plate Chamber).

Dernière version du 13 mai 2024 à 00:39

L’effet d'avalanche est un phénomène qui peut se produire dans des matériaux isolants et semi-conducteurs. Il s'agit d'un effet multiplicateur du courant électrique à l'intérieur de matériaux qui étaient, jusqu'au déclenchement du phénomène, de bons isolants.

Description du phénomène[modifier | modifier le code]

L’effet d’avalanche est visible sur la partie gauche de la caractéristique de la diode Zener (courbe de I en fonction de Ud). En dessous de la tension Uz, l’effet d’avalanche provoqué par une forte tension négative permet le passage du courant à travers la diode.

L'effet d'avalanche peut se produire à l'intérieur de semi-conducteurs ou d'isolants solides, liquides ou en phase gazeuse lorsque le champ électrique à l'intérieur du matériau est suffisamment important pour accélérer les électrons jusqu'au point où, lorsqu'ils percutent des atomes, ils libèrent d'autres électrons : le nombre d'électrons libres augmente alors rapidement car les nouveaux électrons libres en entraînent à nouveau d'autres, dans un phénomène comparable à celui d'une avalanche neigeuse[1]. Ce phénomène est utilisé dans certains composants électroniques comme la diode Zener, la diode Transil, des photodiodes et des transistors à effet d'avalanche, ainsi que dans un grand nombre de détecteur de muons comme les tubes à gaz, les RPC (Resistive Plate Chamber).

Notes et références[modifier | modifier le code]

Bibliographie[modifier | modifier le code]

  • Jean-Paul Baïlon et Jean-Marie Dorlot, Des matériaux, Montréal, Presses internationales Polytechnique, , 3e éd., 736 p. (ISBN 978-2-553-00770-5).