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'''Herbert Kroemer''' (né le {{Date|25|août|1928}} à [[Weimar]] en [[Allemagne]]) est professeur de génie électrique et informatique à l'[[Université de Californie à Santa Barbara]] (UCSB). Il a obtenu son doctorat de [[physique théorique]] en 1952 à l'[[université de Göttingen]] en [[Allemagne]], avec une thèse sur les effets d'électrons chauds dans les [[transistor]]s, à l'origine d'une carrière dans la recherche dans le domaine de la physique des [[semi-conducteur]]s.
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'''Herbert Kroemer''', né le {{Date de naissance|25|août|1928}} à [[Weimar]] en [[Allemagne]] et mort le {{date de mort|8 mars 2024}}<ref>{{Lien web |langue=en |titre=Nobel Laureate Herb Kroemer, 1928-2024 |url=https://engineering.ucsb.edu/news/nobel-laureate-herb-kroemer-1928-2024 |site=UCSB College of Engineering |date=2024-03-12 |consulté le=2024-03-21}}</ref>, est un [[physicien]] [[Allemagne|germano]]-[[États-Unis|américain]]. Il est colauréat avec [[Jaurès Alferov|Jores Alferov]] d'une moitié du [[prix Nobel de physique]] de 2000<ref name=laureat_nobel_2000/>.


== Biographie ==
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Herbert Kroemer, qui est membre de l'Académie nationale d'ingénierie américaine, a été le premier à souligner dans les années 1950 les avantages qui pourraient être obtenus dans de nombreux [[semi-conducteur]]s par l'incorporation d'[[hétérojonction]]s. En 1963, il a proposé le concept de [[laser]] à double-hétérostructure, un concept primordial dans le domaine des lasers à semi-conducteurs. Kroemer a été un pionnier dans le domaine de l'[[épitaxie par jet moléculaire]] (MBE ou EJM), se concentrant sur l'application de cette technologie à de nouveaux matériaux.
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En 2000, il a reçu le [[prix Nobel de physique]] conjointement avec [[Jores Alferov]] et [[Jack Kilby]] pour le "Développement d’hétérostructures semi-conductrices pour l’électronique rapide et l’optoélectronique".
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En 2010, il est professeur de génie électrique et informatique à l'[[Université de Californie à Santa Barbara]] (UCSB)
== Lien externe ==
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== Notes et références ==
{{Début dynastie}}
{{Références|colonnes=2}}
{{Insérer dynastie
|nom=[[Prix Nobel de physique]]
|avant=[[Gerard 't Hooft]], [[Martinus Veltman]]
|après=[[Eric Cornell]], [[Wolfgang Ketterle]], [[Carl Wieman]]
|période=[[2000]]}}
{{Fin dynastie}}


== Liens externes ==
{{Portail|physique}}
* {{Site Fondation Nobel |https://www.nobelprize.org/prizes/physics/2000/kroemer/biographical/ |Autobiographie}}
{{liens}}

{{Palette|Lauréats du prix Nobel de physique|Lauréats des prix Nobel 2000}}
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[[Catégorie:Naissance en 1928]]
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Dernière version du 22 mars 2024 à 09:38

Page d’aide sur l’homonymie

Pour les articles homonymes, voir Kroemer.

Herbert Kroemer
Biographie
Naissance
Décès
Voir et modifier les données sur Wikidata (à 95 ans)
Nom dans la langue maternelle
Herbert KrömerVoir et modifier les données sur Wikidata
Nationalités
Formation
Activités
Autres informations
A travaillé pour
Membre de
Directeurs de thèse
Fritz Sauter (en), Richard Becker (en)Voir et modifier les données sur Wikidata
Influencé par
Distinctions

modifier - modifier le code - modifier WikidataDocumentation du modèle

Herbert Kroemer, né le à Weimar en Allemagne et mort le [1], est un physicien germano-américain. Il est colauréat avec Jores Alferov d'une moitié du prix Nobel de physique de 2000[2].

Biographie[modifier | modifier le code]

Il a obtenu son doctorat de physique théorique en 1952 à l'université de Göttingen en Allemagne, avec une thèse sur les effets d'électrons chauds dans les transistors, à l'origine d'une carrière dans la recherche dans le domaine de la physique des semi-conducteurs.

Il a travaillé dans un grand nombre de laboratoires de recherche en Allemagne et aux États-Unis, et a enseigné le génie électrique à l'université du Colorado de 1968 à 1976. Il a rejoint l'université de Californie à Santa Barbara en 1976, en concentrant son programme de recherche sur des technologies émergentes dans le domaine des composants semi-conducteurs, plutôt que sur le silicium.

Herbert Kroemer, qui est membre de l'Académie nationale d'ingénierie américaine, a été le premier à souligner dans les années 1950 les avantages qui pourraient être obtenus dans de nombreux semi-conducteurs par l'incorporation d'hétérojonctions. En 1963, il a proposé le concept de laser à double-hétérostructure, un concept primordial dans le domaine des lasers à semi-conducteurs. Kroemer a été un pionnier dans le domaine de l'épitaxie par jet moléculaire (MBE ou EJM), se concentrant sur l'application de cette technologie à de nouveaux matériaux.

Il est colauréat avec Jores Alferov d'une moitié du prix Nobel de physique de 2000 (l'autre moitié a été remise à Jack Kilby) « pour des travaux de base dans les technologies de l'information et des communications [...] pour le développement d’hétérostructures semi-conductrices pour l’électronique rapide et l’opto-électronique[2] ».

En 2010, il est professeur de génie électrique et informatique à l'Université de Californie à Santa Barbara (UCSB)

Notes et références[modifier | modifier le code]

  1. ↑ (en) « Nobel Laureate Herb Kroemer, 1928-2024 », sur UCSB College of Engineering, (consulté le )
  2. ↑ a et b (en) « for basic work on information and communication technology [...] for developing semiconductor heterostructures used in high-speed- and opto-electronics » in Personnel de rédaction, « The Nobel Prize in Physics 2000 », Fondation Nobel, 2010. Consulté le 28 juin 2010

Liens externes[modifier | modifier le code]

  • (en) Autobiographie sur le site de la fondation Nobel (le bandeau sur la page comprend plusieurs liens relatifs à la remise du prix, dont un document rédigé par la personne lauréate — le Nobel Lecture — qui détaille ses apports)

v · m
Lauréats des prix Nobel 2000
Chimie
Littérature Gao Xingjian (Drapeau de la République populaire de Chine Chine / Drapeau de la France France)
Paix Kim Dae-jung (Drapeau de la Corée du Sud Corée du Sud)
Physique
Physiologie ou médecine
Sciences économiques
Lauréats par année :
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