Silicium-germanium

	Silicium-germanium
Identification
Nom UICPA	Silicium-germanium
Propriétés chimiques
Formule	GexSi1-x
Cristallographie
Structure type	Blende
	Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire.
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Les alliages silicium-germanium forment une famille de composés de formule Ge_xSi_1-x, utilisés en tant que semi-conducteurs dans des transistors.

Ces alliages possèdent également de bonnes caractéristiques thermoélectriques aux hautes températures (au-dessus de 1 000 K) et sont notamment utilisés pour la génération d’électricité dans le domaine spatial^[1]^,^[2]. Ce sont par exemple des alliages de ce type qui sont utilisés pour l'alimentation en électricité (en) des sondes Voyager.

Voir aussi

Articles connexes

Notes et références

↑ (en) B. Abeles, D. S. Beers, G. D. Cody et J. P. Dismukes, « Thermal conductivity of Ge-Si alloys at high temperatures », Physical Review, vol. 125, n^o 1,‎ 1962, p. 44-46.
↑ (en) O. Yamashita et N. Sadatomi, « Thermoelectric properties of Si1-xGex (x<0.10) with alloy and dopant segregations », Journal of Applied Physics, vol. 88, n^o 1,‎ 2000, p. 245-252.

[1] (en) B. Abeles, D. S. Beers, G. D. Cody et J. P. Dismukes, « Thermal conductivity of Ge-Si alloys at high temperatures », Physical Review, vol. 125, n^o 1,‎ 1962, p. 44-46.

[2] (en) O. Yamashita et N. Sadatomi, « Thermoelectric properties of Si1-xGex (x<0.10) with alloy and dopant segregations », Journal of Applied Physics, vol. 88, n^o 1,‎ 2000, p. 245-252.

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